介电常数介质损耗测定仪

介电常数介质损耗测定仪工作特性

   1．Q值测量

  a．Q值测量范围：2～1023；

  b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；

c．标称误差

   2．电感测量范围

3．电容测量

   注：大于直接测量范围的电容测量见使用方法。

   4．信号源频率覆盖范围

  5．Q合格指示预置功能：预置范围：5～1000

   6．Q表正常工作条件

   a. 环境温度：0℃～+40℃；

  b．相对湿度：<80％；

  c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

   7．其他

  a．消耗功率：约25W；

   b．净重：约7kg；

   c.外型尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280。

主电容调节用步进马达控制，电容读数更加精确,频率值和电容值均可设置。A/C电容、电感、Q值、频率、量程都用数字显示，在某一频率下，只要能找到谐振点，都能直接读出电感、电容值，大大扩展了电感的测量范围，而不再是固定的几个频率下才能测出电感值的大小。A/C*的谐振点频率自动搜索或电容自动搜索功能，能帮助你在使用时快速地找到被测量器件的谐振点，自动读出Q值和其它参数。Q值量程可手动或自动转换。

介电常数介质损耗测定仪使用方法

高频Q表是多用途的阻抗测量仪器，为了提高测量精度，除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小，使耦合回路的频响尽可能地好之外，还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。

1．测试注意事项

a．本仪器应水平安放；

b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟；

c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调；

d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；

e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；

f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

2．高频线圈的Q值测量（基本测量法）

仪器技术指标：
☆Q值测量：
a．Q值测量范围：5～999。 b．Q值量程分档：30、100、300、999、自动换档。
c．标称误差
频率范围：25kHz～10MHz； 固有误差：≤5％±满度值的2％；工作误差：≤7％±满度值的2％；
频率范围：10MHz～50MHz； 固有误差：≤7％±满度值的2％；工作误差：≤10％±满度值的2％。
☆电感测量：
a．测量范围：0.1μH～1H。
b．分 档：分七个量程。
0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH， 
0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。
☆电容测量：
a．测量范围：1～460pF(460pF以上的电容测量见使用规则)；
b．电容量调节范围
主调电容器：40～500pF； 准 确 度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；
微调电容量：－3pF～0～＋3pF； 准 确 度：±0.2pF。
☆振荡频率：
a．振荡频率范围：25kHz～50MHz；
b．频率分档
25～74kHz， 74～213kHz， 213-700kHz， 700kHz～1.95MHz，
1.95MHz～5.2MHz， 5.2MHz～17MHz， 17～50MHz。
c．频率误差：2×10-4±1个字。
☆Q合格指示预置功能，预置范围：5～999。
☆仪器正常工作条件
a. 环境温度：0℃～+40℃； b．相对湿度：<80％； c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。 
☆试样尺寸
圆片形：厚度2+0.5mm，直径为Φ30~40mm（ε<12时），Φ25~35mm（ε=12~30时），Φ15~20mm（ε>30时）
☆其他
a．消耗功率：约25W； b．净重：约7kg； c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
☆ Q合格指示预置功能
预置范围：5～1000。

主要特点：空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板，薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。 印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~6, 树脂大约是3, 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品( 小于 10 mil) 量测值偏低,。 

◇主要技术特性：介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至zui低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。

仪器特点：
☆接线简单（正接法两根线，反接可使用一根线），所有电缆线均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，测量电压缓升、缓降，全自动测量，结果直读，无须换算。
☆多种测量方式 可选择正/反接线、内/外标准电容器和内/外试验电压进行测量。正接线可测量高压介损。
☆ 抗震性能 仪器可承受长途运输中强烈震动颠簸而不会损坏。
☆ 抗干扰能力强 采用自动跟踪干扰抵偿电路，将矢量运算法与移相法结合，有效地消除强电场干扰对测量的影响，适用于500kV及其以下电站的现场试验。
☆CVT测量 *自激法测量CVT功能，不需外加任何设备，可完成不可拆头CVT的测量。一次接线（三根电缆，不用倒线），一个测量过程（大约1分钟），两个zui终测量结果（C1和C2的介损及电容值）。测量过程中文显示，能实时监测自激电流值和试验电压（高压）值。能消除引线对测试的影响，测量结果准确可靠。
☆ 安全措施（1）高压保护：试品短路、击穿或高压电流波动，能迅速切断高压输出。
（2）CVT保护：设定自激电压的过流点，一旦超出设置的电流值，仪器自动退出测量，不会损坏设备。
（3）接地检测：仪器有接地检测功能，未接地时不能升压测量。
（4）防误操作：具备防误操作设计，能判别常见接线错误，安全报警。
（5）防“容升"：测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升"效应，仪器能自动跟踪输出电压，保持试验电压恒定。
☆ VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器，在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单，操作提示各种警告信息，直观明了，不需查阅说明书即可操作。

特点： 

◎ 本公司创新的自动Q值保持技术，使测Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能对固体绝缘材料在10kHz～120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

◎ 调谐回路残余电感值低至8nH，保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。

◎ 特制LCD屏菜单式显示多参数：Q值，测试频率，调谐状态等。

◎ Q值量程自动/手动量程控制。

◎ DPLL合成发生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz测试信号。独立信号   源输出口，所以本机又是一台合成信号源。

◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。

电感器：

按测试频率要求，需要配置不同量的电感器。

例如：在1MHz测试频率时，要配250μH电感器，在50MHz测试频率时，要配0.1μH电感器等。

高频介质样品（选购件）：
在现行高频介质材料检定系统中，检定部门为高频介质损耗测量仪提供的测量标准是高频标准介质样品。

该样品由人工蓝宝石，石英玻璃，氧化铝陶瓷，聚四氟乙烯，环氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm测试样品。用户可按需订购，以保证测试装置的重复性和准确性。

工作频率范围是10kHz～120MHz,它能完成工作频率内材料的高频介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

本仪器中测试装置是由平板电容器和测微圆筒线性电容器组成，平板电容器一般用来夹被测样品，配用Q表作为指示仪器。

绝缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放入平板电容器和不放样品的Q值变化和厚度的刻度读数通过公式计算得到。

同样，由测微圆筒线性电容器的电容量读数变化，通过公式计算得到介电常数。

装置：

2.3.1 平板电容器极片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二种.
2.3.2 平板电容器间距可调范围和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圆筒电容器线性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圆筒电容器可调范围：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 装置插头间距：25mm±0.1mm
2.3.6 装置损耗角正切值:≤2.5×10-4

主要技术指标：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固体绝缘材料测试频率10kHz～120MHz的tanδ和ε变化的测试。

2.1.2 tanδ和ε测量范围：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε测量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作频率范围：50kHz～50MHz    四位数显，压控振荡器

Q值测量范围：1～1000三位数显，±1Q分辨率

可调电容范围：40～500 pF  ΔC±3pF

电容测量误差：±1%±1pF

Q表残余电感值：约20nH